大型电子束曝光系统EBL

技术参数：

1、加速电压：80kV；

2、曝光束流：0.4-70nA；

3、写场尺寸：100um-1000um边长的正方形区域连续可调；

4、写场拼接精度：200μ主场优于15nm，500μm主场优于20nm，800μm主场优于30nm；

5、套刻精度：200μ主场优于15nm，500μm主场优于20nm，800μm主场优于30nm；

6、最大样品尺寸：4寸、6寸、8寸晶圆或0.5*0.5cm、1*1cm、2*2cm方片，厚度小于2mm。

功能介绍：

1、高精度纳米图案加工，加工精度可达20nm

2、可进行高精度套刻，套刻精度200μm主场优于15nm，500μm主场优于20nm，800μm主场优于30nm；

3、可进行8英寸及以下大小衬底加工。