原子层刻蚀机
仪器型号GSE S200
预约次数0次
服务周期收到样品后7个工作日内完成
详细描述
技术参数
1、直径8英寸晶圆片及向下兼容（8、6、4、2英寸及以下尺寸的整片及不规则小片），样品高度不高于3mm；
2、配置6路工艺气体：O2、CF4、BCl3、SF6、Ar、Cl2 、 N2 、H2，主刻蚀金属膜层；
3、下电极温度-20~90℃；
4、ICP上射频：5~1500W。下射频：5~300W；
5、工艺控压：5-85mT；
6、搭载OES功能。
功能介绍
1、具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性；
2、采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离子体密度的均匀控制，满足于单原子层的精密控制刻蚀。
