电感耦合等离子刻蚀机ICP

仪器型号江苏鲁汶HAASRODE-E200A

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服务周期收到样品后10个工作日内完成

详细描述

技术参数：

1、可以装载最大样品为8英寸基片单片装载，可以向下兼容6寸，3寸，4寸以及更小尺寸以及碎片，性能稳定；

2、下电极配置水冷和He背冷装置，精确控制下电极工艺温度；

3、反应腔室的基础真空度:＜5×10-6 Torr;反应腔室真空漏率＜1mT/min，预真空室检漏率＜10mT/min；系统启动30分钟内本底真空度<2×10-5 Torr；

4、O2、CF4、CHF3、SF6、Ar、N2气路；

5、Si etch Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1； Sidewall angle>85°，均匀性：<+/-5% over 4”@10mm去边；

6、SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性：<+/-5% over 4”@10mm去边；

7、Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性：<+/-5% over 4”@10mm去边。

功能介绍：