化学气相沉积炉CVD

技术参数：

1、在铜箔、镍片等催化性基底上以高温~1000℃热分解气源方式直接沉积高质量单层石墨烯，单层差异性5%，覆盖率≥95%；

2、可使用等离子功能，在低温~400℃进行石墨烯沉积性能指标；

3、适用于最大可兼容直径4英寸晶圆及以下或方片150x100mm及以下、更小的晶圆和不规则碎片；

4、腔内温度最高可达1100℃；

5、本底真空：≤20mTorr。

功能介绍：

1、在铜箔、镍片等催化性基底上以高温~1000℃热分解气源方式直接沉积高质量单层石墨烯；

2、可使用等离子功能，在低温~400℃进行石墨烯沉积。