原子层沉积系统ALD

技术参数：

1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、更小的晶圆和不规则碎片；

2、工艺温度：室温–500°C，控制精度在±1 ℃；

3、设备配3路液态源，分别为TMA、H2O、BDEAS，配2路加热源，分别为TEMAHf和TiCl4，最高加热温度为200 ℃，控制精度为±1 ℃，配2路气体源，分别为NH3和O3；

4、可成6种膜，分别为SiO2、HfO2、TiO2、TiN、Al2O3、AlN；

5、膜厚均匀性（片内）：≤±2% (4英寸)；膜厚重复性（片间）：≤±2%；

6、真空腔外壁为全冷壁，在设备的正常运行时，真空腔外壁温度不超过60 ℃；

7、腔体漏率低于10-7 mbar·L/s；

8、正常的工艺操作过程中真空腔压力始终大于反应腔压力，以防止前驱体的泄漏。

功能介绍：

该设备配置3路液态源（TMA、TiCl4、H2O）、2路加热源（BDEAS、TEMAHf）和2路气体源（O3、NH3），可成6种膜，分别为SiO2、HfO2、TiO2、TiN、Al2O3、AlN。