分子束外延薄膜制备系统MBE

技术参数：

1、样品尺寸：1英寸以下的晶围或不规则碎片；

2、村底加热可达950℃；

3、能够满足原子级薄膜制备；

4、可外延Ga、Sn、Se、In的氧化物及氮化物；

5、配备2套低温蒸发源（100~1100℃）,控温精度±0.1℃，坩埚容量10cc；

6、配套3套中温蒸发源（300~1500℃）,控温精度±0.1℃，坩埚容量10cc；

功能介绍：

可外延生长Pt,   Au, Pd等金属单晶薄膜，Ga2O3, ITO, TiO2等氧化物半导体薄膜以及GaN,   InN等半导体薄膜，用于二维材料、量子器件、超导、半导体、纳米器件、光学及其他材料薄膜沉积研发。