高真空超低温能源器件综合表征系统

技术参数：

1、低温强磁系统的温度变化范围0.3K-300K，磁场变化范围-14T-14T，磁场方向竖直；

2、系统变温腔的变温范围是1.5-300K；

3、标准电学杆44pin样品槽，配备转换槽，可与磁场水平或垂直放置样品；经过24端口分线器与半导体参数分析仪相连；

4、He3插杆温度范围：300 mK - 300 K;

5、电学测试仪器为Keithley 4200半导体参数分析仪，提供4个测试接口SMU，一个接地接口GRND。电流测试范围10fA-0.1A，电压测试范围0-200V，包括常规半导体测试能力，诸如IV，FET等。

功能介绍：

1、能够实现可定制化的极低温度（300 mK）和超强磁场（14 T）物性表征环境，通过定制化的样品杆实现扫描探针显微镜操纵与测量的能；

2、完成二维纳米材料诸如电阻、霍尔电阻、临界电流、伏安特性等电学性质的测量。