电感耦合等离子体增强原子层沉积系统PEALD

技术参数：

1、满足样品尺寸8英寸，可兼容4、6英寸及以下碎片的晶圆片 ；

2、ICP射频功率13.56MHz，使用功率0~300W可以自动调节；

3、工艺加热系统：样品加热温度最高500℃，控温精度优于±1℃；

4、独立的工艺气体系统：等离子体工艺气体5路，每路均带有气体质量流量控制器，支持O2、N2、Ar、NH3、H2气体，量程范围0～100sccm，控制精度<±1% ；

5、前驱物钢瓶具有独立加热、保温及控温系统，加热温度200℃，控制精度±1℃ ；

6、独立前驱物通道系统：6路完全独立的管道。

功能介绍：

1、在半导体衬底（例如硅、化合物半导体）或有机衬底上沉积高质量、低应力薄膜、耐刻蚀的SiN薄膜；

2、可实现高深宽比（50:1）SiN薄膜填充。